IRF1407STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 75 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

200,00 руб.

Артикул: 1134252 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	200,00руб.	186,00руб.	180,00руб.	176,00руб.	170,00руб.	160,00руб.	156,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	376,00руб.	346,00руб.	340,00руб.	332,00руб.	320,00руб.	302,00руб.	294,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	382,00руб.	352,00руб.	344,00руб.	336,00руб.	320,00руб.	304,00руб.	298,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	240,00руб.	220,00руб.	216,00руб.	210,00руб.	204,00руб.	192,00руб.	186,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	348,00руб.	320,00руб.	312,00руб.	306,00руб.	296,00руб.	278,00руб.	270,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	218,00руб.	202,00руб.	196,00руб.	192,00руб.	186,00руб.	174,00руб.	170,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF1407STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 75 В
The IRF1407STRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application. irf

• Advanced process technology

• Dynamic dV/dt rating

• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	3.8Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	75в
Непрерывный Ток Стока	100А