4a20b58222878a50fbae64614ef20414

IPP100N08N3GXKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 70 А, 80 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

120,00 руб.

x 120,00 = 120,00
Артикул: 1134196 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней120,00руб.111,60руб.108,00руб.105,60руб.102,00руб.96,00руб.93,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней225,60руб.207,60руб.204,00руб.199,20руб.192,00руб.181,20руб.176,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней229,20руб.211,20руб.206,40руб.201,60руб.192,00руб.182,40руб.178,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней144,00руб.132,00руб.129,60руб.126,00руб.122,40руб.115,20руб.111,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней208,80руб.192,00руб.187,20руб.183,60руб.177,60руб.166,80руб.162,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней130,80руб.121,20руб.117,60руб.115,20руб.111,60руб.104,40руб.102,00руб.

Характеристики

IPP100N08N3GXKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 70 А, 80 В The IPP100N08N3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading benchmark OptiMOS™ technology. It is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply and power consumption applications.

• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Superior thermal resistance
• Dual sided cooling
• Low parasitic inductance
• Low profile
• Normal level
• Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Halogen-free, Green device

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

100Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

80В
Непрерывный Ток Стока

70А