IPB049NE7N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 75 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

200,00 руб.

Артикул: 1134061 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	200,00руб.	186,00руб.	180,00руб.	176,00руб.	170,00руб.	160,00руб.	156,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	376,00руб.	346,00руб.	340,00руб.	332,00руб.	320,00руб.	302,00руб.	294,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	382,00руб.	352,00руб.	344,00руб.	336,00руб.	320,00руб.	304,00руб.	298,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	240,00руб.	220,00руб.	216,00руб.	210,00руб.	204,00руб.	192,00руб.	186,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	348,00руб.	320,00руб.	312,00руб.	306,00руб.	296,00руб.	278,00руб.	270,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	218,00руб.	202,00руб.	196,00руб.	192,00руб.	186,00руб.	174,00руб.	170,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IPB049NE7N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 75 В The IPB049NE7N3 G is a N-channel Power MOSFET with OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest ON-state resistances and superior switching performance.

• Best switching performance
• World’s lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• MSL1 rated
• Increased efficiency
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Ideal for high frequency switching and DC-to-DC converters
• Normal level
• 100% avalanche tested
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Halogen-free, Green device

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-263
Рассеиваемая Мощность	150Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	75в
Непрерывный Ток Стока	80А