Заполнитель

FQPF7N65C, Транзистор N-CH 650V 7A [TO-220F]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

50,00 руб.

x 50,00 = 50,00
Артикул: 1126645 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней50,00руб.46,50руб.45,00руб.44,00руб.41,00руб.40,00руб.39,00руб.36,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней90,50руб.83,00руб.81,50руб.79,50руб.74,00руб.72,50руб.70,50руб.63,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней117,00руб.108,00руб.105,50руб.103,00руб.96,00руб.93,50руб.91,50руб.82,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней60,00руб.55,00руб.54,00руб.52,50руб.49,00руб.48,00руб.46,50руб.42,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней115,50руб.106,50руб.104,00руб.101,50руб.98,50руб.95,00руб.90,00руб.81,00руб.

Характеристики

FQPF7N65C, Транзистор N-CH 650V 7A [TO-220F]The FQPF7N65C is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• Low gate charge (28nC)
• Low Crss (12pF)
• 100% avalanche tested

Дополнительная информация

Корпус

to220f
Структура

n-канал