Заполнитель

FQPF4N90C, Транзистор N-CH 900V 4A [TO-220F]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

300,00 руб.

x 300,00 = 300,00
Артикул: 1126643 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней300,00руб.279,00руб.270,00руб.264,00руб.255,00руб.240,00руб.234,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней564,00руб.519,00руб.510,00руб.498,00руб.480,00руб.453,00руб.441,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней573,00руб.528,00руб.516,00руб.504,00руб.480,00руб.456,00руб.447,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней360,00руб.330,00руб.324,00руб.315,00руб.306,00руб.288,00руб.279,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней522,00руб.480,00руб.468,00руб.459,00руб.444,00руб.417,00руб.405,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней327,00руб.303,00руб.294,00руб.288,00руб.279,00руб.261,00руб.255,00руб.

Характеристики

FQPF4N90C, Транзистор N-CH 900V 4A [TO-220F]QFET® N-Channel MOSFET, up to 5.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Дополнительная информация

Корпус

to220f
Структура

n-канал