Заполнитель

FQD7N10LTM, МОП-транзистор, N Канал, 5.8 А, 100 В, 0.275 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

57,00 руб.

x 57,00 = 57,00
Артикул: 1134004 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней57,00руб.53,01руб.51,30руб.50,16руб.46,74руб.45,60руб.44,46руб.41,04руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней103,17руб.94,62руб.92,91руб.90,63руб.84,36руб.82,65руб.80,37руб.72,39руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней133,38руб.123,12руб.120,27руб.117,42руб.109,44руб.106,59руб.104,31руб.93,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней68,40руб.62,70руб.61,56руб.59,85руб.55,86руб.54,72руб.53,01руб.47,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней131,67руб.121,41руб.118,56руб.115,71руб.112,29руб.108,30руб.102,60руб.92,34руб.

Характеристики

FQD7N10LTM, МОП-транзистор, N Канал, 5.8 А, 100 В, 0.275 Ом The FQD7N10LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• 100% Avalanche tested
• 4.6nC Typical low gate charge
• 12pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252AA
Рассеиваемая Мощность

25Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

100В
Непрерывный Ток Стока

5.8А