16

FQD12N20LTM, МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 200 В, 0.22 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

80,00 руб.

x 80,00 = 80,00
Артикул: 1133996 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней80,00руб.74,40руб.72,00руб.70,40руб.65,60руб.64,00руб.62,40руб.57,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней144,80руб.132,80руб.130,40руб.127,20руб.118,40руб.116,00руб.112,80руб.101,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней187,20руб.172,80руб.168,80руб.164,80руб.153,60руб.149,60руб.146,40руб.131,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней96,00руб.88,00руб.86,40руб.84,00руб.78,40руб.76,80руб.74,40руб.67,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней184,80руб.170,40руб.166,40руб.162,40руб.157,60руб.152,00руб.144,00руб.129,60руб.

Характеристики

FQD12N20LTM, МОП-транзистор, N Канал, 9 А, 200 В, 0.22 Ом The FQD12N20LTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.

• 100% Avalanche tested
• 16nC Typical low gate charge
• 17pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252AA
Рассеиваемая Мощность

2.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

200В
Непрерывный Ток Стока

9А