1925

FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

18,00 руб.

x 18,00 = 18,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней18,00руб.16,74руб.16,20руб.15,84руб.14,76руб.14,40руб.14,04руб.12,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней32,58руб.29,88руб.29,34руб.28,62руб.26,64руб.26,10руб.25,38руб.22,86руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней42,12руб.38,88руб.37,98руб.37,08руб.34,56руб.33,66руб.32,94руб.29,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней21,60руб.19,80руб.19,44руб.18,90руб.17,64руб.17,28руб.16,74руб.15,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней41,58руб.38,34руб.37,44руб.36,54руб.35,46руб.34,20руб.32,40руб.29,16руб.

Характеристики

FDS9926A, Транзистор, PowerTrench, 2N-канала 20В 6.5А [SO-8]PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer an increase in system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and a soft reverse recovery body diode, which contribute towards fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

Дополнительная информация

Корпус

so8

Структура

2n-канала