1

FDPF16N50, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 500 В, 380 мОм

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

700,00 руб.

x 700,00 = 700,00
Артикул: 1133946 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней700,00руб.651,00руб.630,00руб.616,00руб.595,00руб.560,00руб.546,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.316,00руб.1.211,00руб.1.190,00руб.1.162,00руб.1.120,00руб.1.057,00руб.1.029,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.337,00руб.1.232,00руб.1.204,00руб.1.176,00руб.1.120,00руб.1.064,00руб.1.043,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней840,00руб.770,00руб.756,00руб.735,00руб.714,00руб.672,00руб.651,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.218,00руб.1.120,00руб.1.092,00руб.1.071,00руб.1.036,00руб.973,00руб.945,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней763,00руб.707,00руб.686,00руб.672,00руб.651,00руб.609,00руб.595,00руб.

Характеристики

FDPF16N50, МОП-транзистор, N Канал, 16 А, 500 В, 380 мОм The FDPF16N50 is an UniFET™ high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

• 100% Avalanche tested
• 32nC Typical low gate charge
• 20pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-220F
Рассеиваемая Мощность

38.5Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

500в
Непрерывный Ток Стока

16А