1

FDP5800, МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 60 В, 0.0046 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

250,00 руб.

x 250,00 = 250,00
Артикул: 1133937 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней250,00руб.232,50руб.225,00руб.220,00руб.212,50руб.200,00руб.195,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней470,00руб.432,50руб.425,00руб.415,00руб.400,00руб.377,50руб.367,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней477,50руб.440,00руб.430,00руб.420,00руб.400,00руб.380,00руб.372,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней300,00руб.275,00руб.270,00руб.262,50руб.255,00руб.240,00руб.232,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней435,00руб.400,00руб.390,00руб.382,50руб.370,00руб.347,50руб.337,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней272,50руб.252,50руб.245,00руб.240,00руб.232,50руб.217,50руб.212,50руб.

Характеристики

FDP5800, МОП-транзистор, N Канал, 80 А, 60 В, 0.0046 Ом The FDP5800 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process. It has been tailored to minimize the ON-state resistance while maintaining superior switching performance. It is suitable for use in synchronous rectification, battery protection circuit and uninterruptible power supplies applications.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• Low gate charge
• High power and current handing capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

242мВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

80А