67

FDN360P, МОП-транзистор, P Канал, 2 А, -30 В, 80 мОм, -10 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

34,00 руб.

x 34,00 = 34,00
Артикул: 1133927 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней34,00руб.31,62руб.30,60руб.29,92руб.27,88руб.27,20руб.26,52руб.24,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней61,54руб.56,44руб.55,42руб.54,06руб.50,32руб.49,30руб.47,94руб.43,18руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней79,56руб.73,44руб.71,74руб.70,04руб.65,28руб.63,58руб.62,22руб.55,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней40,80руб.37,40руб.36,72руб.35,70руб.33,32руб.32,64руб.31,62руб.28,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней78,54руб.72,42руб.70,72руб.69,02руб.66,98руб.64,60руб.61,20руб.55,08руб.

Характеристики

FDN360P, МОП-транзистор, P Канал, 2 А, -30 В, 80 мОм, -10 В The FDN360P from Fairchild is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications.

• High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
• Low gate charge typically 6.2nC
• Drain to source voltage (Vds) of -30V
• Gate to source voltage of ±20V
• Continuous drain current (Id) of -2A at 25 C
• Power dissipation (Pd) of 500mW
• Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
• Operating temperature range -55 C to 150 C

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23
Рассеиваемая Мощность

500мВт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-30В
Непрерывный Ток Стока

2А