67

FDN358P, МОП-транзистор, P Канал, 1.6 А, -30 В, 200 мОм

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

34,00 руб.

x 34,00 = 34,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней34,00руб.31,62руб.30,60руб.29,92руб.27,88руб.27,20руб.26,52руб.24,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней61,54руб.56,44руб.55,42руб.54,06руб.50,32руб.49,30руб.47,94руб.43,18руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней79,56руб.73,44руб.71,74руб.70,04руб.65,28руб.63,58руб.62,22руб.55,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней40,80руб.37,40руб.36,72руб.35,70руб.33,32руб.32,64руб.31,62руб.28,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней78,54руб.72,42руб.70,72руб.69,02руб.66,98руб.64,60руб.61,20руб.55,08руб.

Характеристики

FDN358P, МОП-транзистор, P Канал, 1.6 А, -30 В, 200 мОм The FDN358P is a P-channel Logic Level MOSFET produced using Fairchild Semiconductor advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It comes with high power version of industry standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30% higher power handling capability. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion application.

• High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
• 4nC Typical low gate charge

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

560мВт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-30В

Непрерывный Ток Стока

1.6А