67

FDN357N, МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 30 В, 0.053 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

43,00 руб.

x 43,00 = 43,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней43,00руб.39,99руб.38,70руб.37,84руб.35,26руб.34,40руб.33,54руб.30,96руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней77,83руб.71,38руб.70,09руб.68,37руб.63,64руб.62,35руб.60,63руб.54,61руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней100,62руб.92,88руб.90,73руб.88,58руб.82,56руб.80,41руб.78,69руб.70,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней51,60руб.47,30руб.46,44руб.45,15руб.42,14руб.41,28руб.39,99руб.36,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней99,33руб.91,59руб.89,44руб.87,29руб.84,71руб.81,70руб.77,40руб.69,66руб.

Характеристики

FDN357N, МОП-транзистор, N Канал, 2.5 А, 30 В, 0.053 Ом The FDN357N is a SuperSOT™-3 N-channel logic level enhancement-mode Power FET produced using Fairchild’s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It is particularly suited for low voltage applications in PCMCIA cards and other battery powered circuits where fast switching and low in-line power loss are needed in a very small outline surface-mount-package. It comes with industry standard outline surface-mount package using proprietary SuperSOT™-3 design for superior thermal and electrical capabilities.

• High density cell design for extremely low RDS (ON)
• Exceptional ON-resistance and maximum DC current capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

sot-23

Рассеиваемая Мощность

500мВт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

2.5А