67

FDN339AN, МОП-транзистор, N Канал, 3 А, 20 В, 0.029 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

17,00 руб.

x 17,00 = 17,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней17,00руб.15,81руб.15,30руб.14,96руб.13,94руб.13,60руб.13,26руб.12,24руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней30,77руб.28,22руб.27,71руб.27,03руб.25,16руб.24,65руб.23,97руб.21,59руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней39,78руб.36,72руб.35,87руб.35,02руб.32,64руб.31,79руб.31,11руб.27,88руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней20,40руб.18,70руб.18,36руб.17,85руб.16,66руб.16,32руб.15,81руб.14,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней39,27руб.36,21руб.35,36руб.34,51руб.33,49руб.32,30руб.30,60руб.27,54руб.

Характеристики

FDN339AN, МОП-транзистор, N Канал, 3 А, 20 В, 0.029 Ом The FDN339AN is a 20V N-channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild’s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (figure of merit (QGxRDS(ON))) of these devices is 66% lower than that of previous generation. Soft body diode performance of new PowerTrench® MOSFET is able to eliminate snubber circuit or replace higher voltage rating — MOSFET need circuit because it can minimize the undesirable voltage spikes in synchronous rectification. This product is general usage and suitable for many different applications.

• Low gate charge
• High performance trench technology for extremely low RDS (ON)
• High power and current handling capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SuperSOT

Рассеиваемая Мощность

500мВт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

20В

Непрерывный Ток Стока