7

FDG313N, МОП-транзистор, N Канал, 950 мА, 25 В, 450 мОм

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

24,00 руб.

x 24,00 = 24,00
Артикул: 1133881 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней24,00руб.22,32руб.21,60руб.21,12руб.19,68руб.19,20руб.18,72руб.17,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней43,44руб.39,84руб.39,12руб.38,16руб.35,52руб.34,80руб.33,84руб.30,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней56,16руб.51,84руб.50,64руб.49,44руб.46,08руб.44,88руб.43,92руб.39,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней28,80руб.26,40руб.25,92руб.25,20руб.23,52руб.23,04руб.22,32руб.20,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней55,44руб.51,12руб.49,92руб.48,72руб.47,28руб.45,60руб.43,20руб.38,88руб.

Характеристики

FDG313N, МОП-транзистор, N Канал, 950 мА, 25 В, 450 мОм The FDG313N is a N-channel enhancement-mode Digital FET produced using Fairchild’s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistor and small signal MOSFET. It is suitable for use in load switch and battery protection.

• Very low level gate drive requirements allowing direct operation
• Compact industry standard surface-mount package

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

sc-70
Рассеиваемая Мощность

750мВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

25В
Непрерывный Ток Стока

950мА