FDD16AN08A0, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 75 В, 13 мОм

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

160,00 руб.

Артикул: 1133864 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	160,00руб.	148,80руб.	144,00руб.	140,80руб.	136,00руб.	128,00руб.	124,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	300,80руб.	276,80руб.	272,00руб.	265,60руб.	256,00руб.	241,60руб.	235,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	305,60руб.	281,60руб.	275,20руб.	268,80руб.	256,00руб.	243,20руб.	238,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	192,00руб.	176,00руб.	172,80руб.	168,00руб.	163,20руб.	153,60руб.	148,80руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	278,40руб.	256,00руб.	249,60руб.	244,80руб.	236,80руб.	222,40руб.	216,00руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	174,40руб.	161,60руб.	156,80руб.	153,60руб.	148,80руб.	139,20руб.	136,00руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FDD16AN08A0, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 75 В, 13 мОм The FDD16AN08A0 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification and battery protection circuit application.

• Low miller charge
• Low Qrr body diode
• UIS Capability (single pulse and repetitive pulse)

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	175 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	TO-252AA
Рассеиваемая Мощность	135Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	75в
Непрерывный Ток Стока	50А