Заполнитель

FCPF16N60NT, Транзистор, N-канал 600В 16А [TO-220F]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

560,00 руб.

x 560,00 = 560,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней560,00руб.520,80руб.504,00руб.492,80руб.476,00руб.448,00руб.436,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.052,80руб.968,80руб.952,00руб.929,60руб.896,00руб.845,60руб.823,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.069,60руб.985,60руб.963,20руб.940,80руб.896,00руб.851,20руб.834,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней672,00руб.616,00руб.604,80руб.588,00руб.571,20руб.537,60руб.520,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней974,40руб.896,00руб.873,60руб.856,80руб.828,80руб.778,40руб.756,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней610,40руб.565,60руб.548,80руб.537,60руб.520,80руб.487,20руб.476,00руб.

Характеристики

FCPF16N60NT, Транзистор, N-канал 600В 16А [TO-220F]SupreMOS – это семейство 600В MOSFET транзисторов, выполненных по технологии super-junction. Эти транзисторы с сопротивлением открытого канала 165 мОм FCP22N60N, FCPF22N60NT и FCA22N60N и 199 мОм FCP16N60N, FCPF16N60NT и FCA16N60N имеют лучшие в своем классе характеристики по быстродействию (di/dt и dv/dt) и позволяют повысить плотность мощности и КПД источников питания и, при этом, за счет большого напряжения пробоя и отличных характеристик встроенного диода, обеспечивают высокий уровень надежности.

Первые представители семейства – FCP16N60N и FCP22N60N, доступны в корпусах TO220, TO220F и TO3PN. У FCP16N60N параметр RDS(ON) равен 199 мОм, а у FCP22N60N – 165 мОм. MOSFET-транзисторы характеризуются отличной скоростью нарастания напряжения dv/dt как самого транзистора, так и встроенного диода. Кроме того, они обладают хорошими значениями лавинной энергии.

Отличительные особенности:
• Низкое сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) = 20 мОм на см2
• dv/dt диода: 20 В/нс (при 200 А/мкс)
• dv/dt транзистора: 100 В/нс
• Лавинная энергия: 355 мДж у 199-мОм приборов; 672 мДж у 165-мОм приборов.

Дополнительная информация

Корпус

to220fp

Структура

n-канал