BUZ905D, МОП-транзистор, P Канал, 16 А, -160 В, 750 мОм, -1.5 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

970,00 руб.

Артикул: 1133695 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	970,00руб.	902,10руб.	873,00руб.	853,60руб.	824,50руб.	776,00руб.	756,60руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	1.823,60руб.	1.678,10руб.	1.649,00руб.	1.610,20руб.	1.552,00руб.	1.464,70руб.	1.425,90руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.852,70руб.	1.707,20руб.	1.668,40руб.	1.629,60руб.	1.552,00руб.	1.474,40руб.	1.445,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	1.164,00руб.	1.067,00руб.	1.047,60руб.	1.018,50руб.	989,40руб.	931,20руб.	902,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	1.687,80руб.	1.552,00руб.	1.513,20руб.	1.484,10руб.	1.435,60руб.	1.348,30руб.	1.309,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	1.057,30руб.	979,70руб.	950,60руб.	931,20руб.	902,10руб.	843,90руб.	824,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

BUZ905D, МОП-транзистор, P Канал, 16 А, -160 В, 750 мОм, -1.5 ВThe BUZ905D is a P-channel enhancement-mode Power MOSFET offers -160V drain source voltage and -16A continuous drain current.

• High speed switching
• Semefab designed and diffused
• High voltage
• High energy rating
• Integral protection diode
• BUZ900D complimentary P-channel
• Double die package for maximum power and heat-sink space

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	2вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	to-3
Рассеиваемая Мощность	250Вт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-160В
Непрерывный Ток Стока	16А