11

BSS192,115, МОП-транзистор, P Канал, -200 мА, -240 В, 12 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

37,00 руб.

x 37,00 = 37,00
Артикул: 1133537 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней37,00руб.34,41руб.33,30руб.32,56руб.30,34руб.29,60руб.28,86руб.26,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней66,97руб.61,42руб.60,31руб.58,83руб.54,76руб.53,65руб.52,17руб.46,99руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней86,58руб.79,92руб.78,07руб.76,22руб.71,04руб.69,19руб.67,71руб.60,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней44,40руб.40,70руб.39,96руб.38,85руб.36,26руб.35,52руб.34,41руб.31,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней85,47руб.78,81руб.76,96руб.75,11руб.72,89руб.70,30руб.66,60руб.59,94руб.

Характеристики

BSS192,115, МОП-транзистор, P Канал, -200 мА, -240 В, 12 Ом The BSS192.115 is a P-channel enhancement-mode vertical double-diffused FET in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. The DMOSFET is suitable for relay driver, high-speed line driver, high -side load switch and switching circuit applications.

• Direct interface to Complementary (C-MOS) transistor and Transistor-Transistor Logic (TTL) devices
• Very fast switching
• No secondary breakdown
• -55 to 150 C Junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-89
Рассеиваемая Мощность

1Вт
Полярность Транзистора

P Канал
Напряжение Истока-стока Vds

-240В
Непрерывный Ток Стока

-200мА