0f838e33a4b9e8bfae699c37cfbe5d2d

AUIRFL014NTR, МОП-транзистор, N Канал, 1.9 А, 55 В, 0.16 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

84,00 руб.

x 84,00 = 84,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней84,00руб.78,12руб.75,60руб.73,92руб.68,88руб.67,20руб.65,52руб.60,48руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней152,04руб.139,44руб.136,92руб.133,56руб.124,32руб.121,80руб.118,44руб.106,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней196,56руб.181,44руб.177,24руб.173,04руб.161,28руб.157,08руб.153,72руб.137,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней100,80руб.92,40руб.90,72руб.88,20руб.82,32руб.80,64руб.78,12руб.70,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней194,04руб.178,92руб.174,72руб.170,52руб.165,48руб.159,60руб.151,20руб.136,08руб.

Характеристики

AUIRFL014NTR, МОП-транзистор, N Канал, 1.9 А, 55 В, 0.16 Ом The AUIRFL014NTR is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is suitable for port injection application.

• Advanced planar technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

1Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

55В

Непрерывный Ток Стока

1.9А