52н

Транзистор AUIRF2805, Auto Q101 Nкан 55В 175А TO220AB

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

820,00 руб.

x 820,00 = 820,00
Артикул: 1126968 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней820,00руб.762,60руб.738,00руб.721,60руб.697,00руб.656,00руб.639,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.541,60руб.1.418,60руб.1.394,00руб.1.361,20руб.1.312,00руб.1.238,20руб.1.205,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.566,20руб.1.443,20руб.1.410,40руб.1.377,60руб.1.312,00руб.1.246,40руб.1.221,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней984,00руб.902,00руб.885,60руб.861,00руб.836,40руб.787,20руб.762,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.426,80руб.1.312,00руб.1.279,20руб.1.254,60руб.1.213,60руб.1.139,80руб.1.107,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней893,80руб.828,20руб.803,60руб.787,20руб.762,60руб.713,40руб.697,00руб.

Характеристики

AUIRF2805, Auto Q101 Nкан 55В 175А TO220ABAutomotive N-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineon’s comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал