12а

2N7002T-7-F, МОП-транзистор, N Канал, 115 мА, 60 В, 13.5 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

28,00 руб.

x 28,00 = 28,00
Артикул: 1133357 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней28,00руб.26,04руб.25,20руб.24,64руб.22,96руб.22,40руб.21,84руб.20,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней50,68руб.46,48руб.45,64руб.44,52руб.41,44руб.40,60руб.39,48руб.35,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней65,52руб.60,48руб.59,08руб.57,68руб.53,76руб.52,36руб.51,24руб.45,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней33,60руб.30,80руб.30,24руб.29,40руб.27,44руб.26,88руб.26,04руб.23,52руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней64,68руб.59,64руб.58,24руб.56,84руб.55,16руб.53,20руб.50,40руб.45,36руб.

Характеристики

2N7002T-7-F, МОП-транзистор, N Канал, 115 мА, 60 В, 13.5 Ом The 2N7002T-7-F is a N-channel enhancement-mode MOSFET with moulded plastic case and solderable matte tin annealed over alloy 42 lead-frame terminals as per MIL-STD-202 standard. It is designed to minimize the ON-state resistance RDS (ON) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

• Low ON-resistance
• Low gate threshold voltage
• Low input capacitance
• Fast switching speed
• Low input/output leakage
• Ultra-small surface-mount package
• Halogen-free, Green device
• Moisture sensitivity level 1 as per J-STD-020
• UL94V-0 Flammability rating

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

SOT-523
Рассеиваемая Мощность

150мВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

115мА