ZXM62P03E6, МОП-транзистор, P Канал, 2.6 А, -30 В, 110 мОм

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

60,00 руб.

Артикул: 1135770 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	60,00руб.	55,80руб.	54,00руб.	52,80руб.	49,20руб.	48,00руб.	46,80руб.	43,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	108,60руб.	99,60руб.	97,80руб.	95,40руб.	88,80руб.	87,00руб.	84,60руб.	76,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	140,40руб.	129,60руб.	126,60руб.	123,60руб.	115,20руб.	112,20руб.	109,80руб.	98,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	72,00руб.	66,00руб.	64,80руб.	63,00руб.	58,80руб.	57,60руб.	55,80руб.	50,40руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	138,60руб.	127,80руб.	124,80руб.	121,80руб.	118,20руб.	114,00руб.	108,00руб.	97,20руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

ZXM62P03E6, МОП-транзистор, P Канал, 2.6 А, -30 В, 110 мОм The ZXM62P03E6 is a P-channel high density enhancement-mode MOSFET from Zetex utilizes unique structure that combines the benefits of low ON-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency and low voltage applications.

• Low threshold
• Low gate drive

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	sot-23
Рассеиваемая Мощность	806мВт
Полярность Транзистора	P Канал
Напряжение Истока-стока Vds	-30В
Непрерывный Ток Стока	2.6А