43

Транзистор SIS434DN-T1-GE3, N CHANNEL MOSFET, 40V, 35A

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

99,00 руб.

x 99,00 = 99,00
Артикул: 1135470 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней99,00руб.92,07руб.89,10руб.87,12руб.81,18руб.79,20руб.77,22руб.71,28руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней179,19руб.164,34руб.161,37руб.157,41руб.146,52руб.143,55руб.139,59руб.125,73руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней231,66руб.213,84руб.208,89руб.203,94руб.190,08руб.185,13руб.181,17руб.162,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней118,80руб.108,90руб.106,92руб.103,95руб.97,02руб.95,04руб.92,07руб.83,16руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней228,69руб.210,87руб.205,92руб.200,97руб.195,03руб.188,10руб.178,20руб.160,38руб.

Характеристики

SIS434DN-T1-GE3, N CHANNEL MOSFET, 40V, 35AThe SIS434DN-T1-GE3 is a 40VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for POL applications.

• 100% Rg tested
• 100% UIS tested
• Halogen-free
• -55 to 150 C Operating temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

8вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

PowerPAK 1212
Рассеиваемая Мощность

3.8Вт
Полярность Транзистора

N Channel
Напряжение Истока-стока Vds

40В
Непрерывный Ток Стока

35А