91

PSMN8R7-80BS, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 80 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

98,00 руб.

x 98,00 = 98,00
Артикул: 1135043 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней98,00руб.91,14руб.88,20руб.86,24руб.80,36руб.78,40руб.76,44руб.70,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней177,38руб.162,68руб.159,74руб.155,82руб.145,04руб.142,10руб.138,18руб.124,46руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней229,32руб.211,68руб.206,78руб.201,88руб.188,16руб.183,26руб.179,34руб.160,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней117,60руб.107,80руб.105,84руб.102,90руб.96,04руб.94,08руб.91,14руб.82,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней226,38руб.208,74руб.203,84руб.198,94руб.193,06руб.186,20руб.176,40руб.158,76руб.

Характеристики

PSMN8R7-80BS, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 80 В The PSMN8R7-80BS is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of load switching, server power supplies, DC-to-DC converters and domestic equipment applications.

• High efficiency due to low switching and conduction losses
• -55 to 175 C Junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263
Рассеиваемая Мощность

170Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

80В
Непрерывный Ток Стока

90А