NTS4001NT1G, МОП-транзистор, N Канал, 270 мА, 30 В, 1 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

23,00 руб.

Артикул: 1134783 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	23,00руб.	21,39руб.	20,70руб.	20,24руб.	18,86руб.	18,40руб.	17,94руб.	16,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	41,63руб.	38,18руб.	37,49руб.	36,57руб.	34,04руб.	33,35руб.	32,43руб.	29,21руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	53,82руб.	49,68руб.	48,53руб.	47,38руб.	44,16руб.	43,01руб.	42,09руб.	37,72руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	27,60руб.	25,30руб.	24,84руб.	24,15руб.	22,54руб.	22,08руб.	21,39руб.	19,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	53,13руб.	48,99руб.	47,84руб.	46,69руб.	45,31руб.	43,70руб.	41,40руб.	37,26руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

NTS4001NT1G, МОП-транзистор, N Канал, 270 мА, 30 В, 1 Ом The NTS4001NT1G is a N-channel Power MOSFET offers 30V drain source voltage and 270A continuous drain current. It is suitable for use in low side load switch, Li-ion battery supplied devices, cell phones, PDAs, DSC, buck converters and level shifts.

• Low gate charge for fast switching
• Small footprint (30% smaller than TSOP-6)
• ESD Protected gate
• -55 to 150 C Operating junction temperature range

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	SOT-323
Рассеиваемая Мощность	330мВт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	270мА