7

IXFK98N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 98 А, 500 В, 0.05 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

1.190,00 руб.

x 1.190,00 = 1.190,00
Артикул: 1134629 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №110-12 дней1.190,00руб.1.106,70руб.1.047,20руб.1.011,50руб.975,80руб.957,95руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №27-10 дней1.344,70руб.1.213,80руб.1.190,00руб.1.142,40руб.1.106,70руб.1.082,90руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №37-10 дней1.451,80руб.1.309,00руб.1.273,30руб.1.237,60руб.1.166,20руб.1.094,80руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №47-10 дней1.416,10руб.1.273,30руб.1.249,50руб.1.201,90руб.1.154,30руб.1.088,85руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №55 дней2.023,00руб.1.820,70руб.1.785,00руб.1.713,60руб.1.654,10руб.1.511,30руб.
НаличиеСрок1шт10шт50шт100шт1000шт3000шт
Склад №66 дней2.011,10руб.1.808,80руб.1.770,72руб.1.701,70руб.1.642,20руб.1.499,40руб.

Характеристики

IXFK98N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 98 А, 500 В, 0.05 Ом The IXFK98N50P3 is a Polar3™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). The Polar3™ power MOSFET family is the latest addition to IXYS benchmark high-performance polar-series power MOSFET product line. This new device is manufactured using IXYS proprietary Polar3™ technology platform, yielding new and improved device that features an optimized combination of low ON-state resistance and gate charge. The end result is a device that achieves a figure of merit (FOM) performance index (device ON-resistance multiplied by gate charge) as low as 9.6RnC. Additional device features include low thermal resistances (RthJC), dynamic dV/dt ratings, high power dissipation (Pd) and high avalanche energy capabilities. These outstanding electrical and thermal device characteristics are essential for implementing improved power efficiency and reliability in today’s demanding high-voltage conversion system.

• Dynamic dV/dt rating
• Avalanche rating
• Low Qg
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Low drain-to-tab capacitance
• Low package inductance
• Easy to mount
• Space saving

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-264AA
Рассеиваемая Мощность

1.3кВт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

500в
Непрерывный Ток Стока

98А