16

IRFS7540TRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 60 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

240,00 руб.

x 240,00 = 240,00
Артикул: 1134507 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней240,00руб.223,20руб.216,00руб.211,20руб.204,00руб.192,00руб.187,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней451,20руб.415,20руб.408,00руб.398,40руб.384,00руб.362,40руб.352,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней458,40руб.422,40руб.412,80руб.403,20руб.384,00руб.364,80руб.357,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней288,00руб.264,00руб.259,20руб.252,00руб.244,80руб.230,40руб.223,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней417,60руб.384,00руб.374,40руб.367,20руб.355,20руб.333,60руб.324,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней261,60руб.242,40руб.235,20руб.230,40руб.223,20руб.208,80руб.204,00руб.

Характеристики

IRFS7540TRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 60 В The IRFS7540TRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, synchronous rectifier applications, O-ring and redundant power switches, half-bridge and full-bridge topologies.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263AB
Рассеиваемая Мощность

160Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

110А