Заполнитель

IRFP3006PBF, МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 60 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

580,00 руб.

x 580,00 = 580,00
Артикул: 1134432 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней580,00руб.539,40руб.522,00руб.510,40руб.493,00руб.464,00руб.452,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней1.090,40руб.1.003,40руб.986,00руб.962,80руб.928,00руб.875,80руб.852,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней1.107,80руб.1.020,80руб.997,60руб.974,40руб.928,00руб.881,60руб.864,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней696,00руб.638,00руб.626,40руб.609,00руб.591,60руб.556,80руб.539,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней1.009,20руб.928,00руб.904,80руб.887,40руб.858,40руб.806,20руб.783,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней632,20руб.585,80руб.568,40руб.556,80руб.539,40руб.504,60руб.493,00руб.

Характеристики

IRFP3006PBF, МОП-транзистор, N Канал, 195 А, 60 В The IRFP3006PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.

• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247ac
Рассеиваемая Мощность

375Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

60В
Непрерывный Ток Стока

195А