2

IRF7406TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -5.8 А, -30 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

88,00 руб.

x 88,00 = 88,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней88,00руб.81,84руб.79,20руб.77,44руб.72,16руб.70,40руб.68,64руб.63,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней159,28руб.146,08руб.143,44руб.139,92руб.130,24руб.127,60руб.124,08руб.111,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней205,92руб.190,08руб.185,68руб.181,28руб.168,96руб.164,56руб.161,04руб.144,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней105,60руб.96,80руб.95,04руб.92,40руб.86,24руб.84,48руб.81,84руб.73,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней203,28руб.187,44руб.183,04руб.178,64руб.173,36руб.167,20руб.158,40руб.142,56руб.

Характеристики

IRF7406TRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -5.8 А, -30 В P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

8вывод(-ов)

Стандарт Корпуса Транзистора

SOIC

Рассеиваемая Мощность

2.5Вт

Полярность Транзистора

P Канал

Напряжение Истока-стока Vds

-30В

Непрерывный Ток Стока

-5.8А