16

FDB44N25TM, МОП-транзистор, N Канал, 44 А, 250 В, 0.058 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

270,00 руб.

x 270,00 = 270,00
Артикул: 1133852 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней270,00руб.251,10руб.243,00руб.237,60руб.229,50руб.216,00руб.210,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней507,60руб.467,10руб.459,00руб.448,20руб.432,00руб.407,70руб.396,90руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней515,70руб.475,20руб.464,40руб.453,60руб.432,00руб.410,40руб.402,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней324,00руб.297,00руб.291,60руб.283,50руб.275,40руб.259,20руб.251,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней469,80руб.432,00руб.421,20руб.413,10руб.399,60руб.375,30руб.364,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней294,30руб.272,70руб.264,60руб.259,20руб.251,10руб.234,90руб.229,50руб.

Характеристики

FDB44N25TM, МОП-транзистор, N Канал, 44 А, 250 В, 0.058 Ом The FDB44N25TM is an UniFET™ N-channel High Voltage MOSFET produced based on Fairchild Semiconductor’s planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce ON-state resistance, better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power and ATX.

• 100% Avalanche tested
• 47nC Typical low gate charge
• 60pF Typical low Crss

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

2вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

TO-263AB
Рассеиваемая Мощность

307Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

250в
Непрерывный Ток Стока

44А