75

STW20NM60FD, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 0.26 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

380,00 руб.

x 380,00 = 380,00
Артикул: 1133252 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней380,00руб.353,40руб.342,00руб.334,40руб.323,00руб.304,00руб.296,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней714,40руб.657,40руб.646,00руб.630,80руб.608,00руб.573,80руб.558,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней725,80руб.668,80руб.653,60руб.638,40руб.608,00руб.577,60руб.566,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней456,00руб.418,00руб.410,40руб.399,00руб.387,60руб.364,80руб.353,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней661,20руб.608,00руб.592,80руб.581,40руб.562,40руб.528,20руб.513,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней414,20руб.383,80руб.372,40руб.364,80руб.353,40руб.330,60руб.323,00руб.

Характеристики

STW20NM60FD, МОП-транзистор, N Канал, 20 А, 600 В, 0.26 Ом The STW20NM60FD is a FDmesh™ N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. The FDmesh™ associates all advantages of reduced ON-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.

• High dV/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Tight process control and high manufacturing yields

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-247
Рассеиваемая Мощность

214Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

600в
Непрерывный Ток Стока

20А