Заполнитель

STP2NK100Z, МОП-транзистор, N Канал, 1.85 А, 1 кВ, 6.25 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

220,00 руб.

x 220,00 = 220,00
Артикул: 1133200 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней220,00руб.204,60руб.198,00руб.193,60руб.187,00руб.176,00руб.171,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней413,60руб.380,60руб.374,00руб.365,20руб.352,00руб.332,20руб.323,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней420,20руб.387,20руб.378,40руб.369,60руб.352,00руб.334,40руб.327,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней264,00руб.242,00руб.237,60руб.231,00руб.224,40руб.211,20руб.204,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней382,80руб.352,00руб.343,20руб.336,60руб.325,60руб.305,80руб.297,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней239,80руб.222,20руб.215,60руб.211,20руб.204,60руб.191,40руб.187,00руб.

Характеристики

STP2NK100Z, МОП-транзистор, N Канал, 1.85 А, 1 кВ, 6.25 Ом The STP2NK100Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, specialties is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs.

• Extremely high dV/dt capability
• Very low intrinsic capacitance

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

150 C
Количество Выводов

3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора

to-220
Рассеиваемая Мощность

70Вт
Полярность Транзистора

N Канал
Напряжение Истока-стока Vds

1кВ
Непрерывный Ток Стока

1.85А