SPW35N60CFDFKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 34.1 А, 600 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

790,00 руб.

Артикул: 1133022 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №1	10-12 дней	790,00руб.	734,70руб.	711,00руб.	695,20руб.	671,50руб.	632,00руб.	616,20руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №2	5-7 дней	1.485,20руб.	1.366,70руб.	1.343,00руб.	1.311,40руб.	1.264,00руб.	1.192,90руб.	1.161,30руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №3	5-7 дней	1.508,90руб.	1.390,40руб.	1.358,80руб.	1.327,20руб.	1.264,00руб.	1.200,80руб.	1.177,10руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №4	10 дней	948,00руб.	869,00руб.	853,20руб.	829,50руб.	805,80руб.	758,40руб.	734,70руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №5	7 дней	1.374,60руб.	1.264,00руб.	1.232,40руб.	1.208,70руб.	1.169,20руб.	1.098,10руб.	1.066,50руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт
Склад №6	10-12 дней	861,10руб.	797,90руб.	774,20руб.	758,40руб.	734,70руб.	687,30руб.	671,50руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

SPW35N60CFDFKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 34.1 А, 600 В The SPW35N60CFD is a 600V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. The CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFET, designed according to the super-junction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. 600V CoolMOS™ CFD combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. It has outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness. It is suitable for server, telecom, PC power, solar, phase-shift ZVS, DC-to-AC power and adapter applications.

• New revolutionary high voltage technology
• Extreme dV/dt rated
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Intrinsic fast-recovery body diode
• Periodic avalanche rated
• Extreme low reverse recovery charge
• High peak current capability
• Improved efficiency
• More efficient, more compact, lighter and cooler

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура	150 C
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Стандарт Корпуса Транзистора	to-247
Рассеиваемая Мощность	313Вт
Полярность Транзистора	N Канал
Напряжение Истока-стока Vds	600в
Непрерывный Ток Стока	34.1А