4

Транзистор IRG7PH42UPBF, IGBT 1200В 90А [TO-247AC]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

390,00 руб.

x 390,00 = 390,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней390,00руб.362,70руб.351,00руб.343,20руб.331,50руб.312,00руб.304,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней733,20руб.674,70руб.663,00руб.647,40руб.624,00руб.588,90руб.573,30руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней744,90руб.686,40руб.670,80руб.655,20руб.624,00руб.592,80руб.581,10руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней468,00руб.429,00руб.421,20руб.409,50руб.397,80руб.374,40руб.362,70руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней678,60руб.624,00руб.608,40руб.596,70руб.577,20руб.542,10руб.526,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней425,10руб.393,90руб.382,20руб.374,40руб.362,70руб.339,30руб.331,50руб.

Характеристики

IRG7PH42UPBF, IGBT 1200В 90А [TO-247AC]Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.

Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.

Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.

Дополнительная информация

Корпус

to247ac

Структура

n-канал