Заполнитель

Транзистор FQP20N06L

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

58,00 руб.

x 58,00 = 58,00
Артикул: 1127985 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней58,00руб.53,94руб.52,20руб.51,04руб.47,56руб.46,40руб.45,24руб.41,76руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней104,98руб.96,28руб.94,54руб.92,22руб.85,84руб.84,10руб.81,78руб.73,66руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней135,72руб.125,28руб.122,38руб.119,48руб.111,36руб.108,46руб.106,14руб.95,12руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней69,60руб.63,80руб.62,64руб.60,90руб.56,84руб.55,68руб.53,94руб.48,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней133,98руб.123,54руб.120,64руб.117,74руб.114,26руб.110,20руб.104,40руб.93,96руб.

Характеристики

FQP20N06LThe FQP20N06L is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

• 100% Avalanche tested
• 9.5nC Typical low gate charge
• 35pF Typical low Crss

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 21 А, 0.055 Ом, 53 Вт