Заполнитель

Транзистор IRF8252PBF, Nкан 25В 25А SO8

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

38,00 руб.

x 38,00 = 38,00
Артикул: 1127091 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней38,00руб.35,34руб.34,20руб.33,44руб.31,16руб.30,40руб.29,64руб.27,36руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней68,78руб.63,08руб.61,94руб.60,42руб.56,24руб.55,10руб.53,58руб.48,26руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней88,92руб.82,08руб.80,18руб.78,28руб.72,96руб.71,06руб.69,54руб.62,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней45,60руб.41,80руб.41,04руб.39,90руб.37,24руб.36,48руб.35,34руб.31,92руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней87,78руб.80,94руб.79,04руб.77,14руб.74,86руб.72,20руб.68,40руб.61,56руб.

Характеристики

IRF8252PBF, Nкан 25В 25А SO8N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon’s range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Дополнительная информация

Корпус

so8
Структура

n-канал