011

STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

20,00 руб.

x 20,00 = 20,00
Артикул: 1126832 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней20,00руб.18,60руб.18,00руб.17,60руб.16,40руб.16,00руб.15,60руб.14,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней36,20руб.33,20руб.32,60руб.31,80руб.29,60руб.29,00руб.28,20руб.25,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней46,80руб.43,20руб.42,20руб.41,20руб.38,40руб.37,40руб.36,60руб.32,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней24,00руб.22,00руб.21,60руб.21,00руб.19,60руб.19,20руб.18,60руб.16,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней46,20руб.42,60руб.41,60руб.40,60руб.39,40руб.38,00руб.36,00руб.32,40руб.

Характеристики

STD17NF03LT4, МОП-транзистор, N-канальный, 17 А, 30 В The STD17NF03LT4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

• Exceptional dV/dt capability
• Low gate charge at 100 C
• Application oriented characterization
• 100% Avalanche tested
• -55 to 175 C Operating junction temperature range

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал