011

STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

50,00 руб.

x 50,00 = 50,00
Артикул: 1126827 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней50,00руб.46,50руб.45,00руб.44,00руб.41,00руб.40,00руб.39,00руб.36,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней90,50руб.83,00руб.81,50руб.79,50руб.74,00руб.72,50руб.70,50руб.63,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней117,00руб.108,00руб.105,50руб.103,00руб.96,00руб.93,50руб.91,50руб.82,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней60,00руб.55,00руб.54,00руб.52,50руб.49,00руб.48,00руб.46,50руб.42,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней115,50руб.106,50руб.104,00руб.101,50руб.98,50руб.95,00руб.90,00руб.81,00руб.

Характеристики

STD10NM60N, Транзистор, MDmesh II, N-канал, 600 В, 0.53 Ом The STD10NM60N is a MDmesh™ II N-channel Power MOSFET features low input capacitance and gate charge. This Power MOSFET is developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest ON-resistance. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

• 100% Avalanche tested
• Low gate input resistance

Дополнительная информация

Корпус

dpak
Структура

n-канал