IRF9510PBF, Транзистор, P-канал 100В 4А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

29,00 руб.

Артикул: 1126681 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	29,00руб.	26,97руб.	26,10руб.	25,52руб.	23,78руб.	23,20руб.	22,62руб.	20,88руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	52,49руб.	48,14руб.	47,27руб.	46,11руб.	42,92руб.	42,05руб.	40,89руб.	36,83руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	67,86руб.	62,64руб.	61,19руб.	59,74руб.	55,68руб.	54,23руб.	53,07руб.	47,56руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	34,80руб.	31,90руб.	31,32руб.	30,45руб.	28,42руб.	27,84руб.	26,97руб.	24,36руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	66,99руб.	61,77руб.	60,32руб.	58,87руб.	57,13руб.	55,10руб.	52,20руб.	46,98руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

IRF9510PBF, Транзистор, P-канал 100В 4А [TO-220AB]The IRF9510PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• -55 to 175 C Operating temperature range
• Ease of paralleling
• Simple drive requirements