FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

81,00 руб.

Артикул: 1126636 Категории: Транзисторы, Электронные компоненты активные

Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №1	10-12 дней	81,00руб.	75,33руб.	72,90руб.	71,28руб.	66,42руб.	64,80руб.	63,18руб.	58,32руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №2	5-7 дней	146,61руб.	134,46руб.	132,03руб.	128,79руб.	119,88руб.	117,45руб.	114,21руб.	102,87руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №3	5 дней	189,54руб.	174,96руб.	170,91руб.	166,86руб.	155,52руб.	151,47руб.	148,23руб.	132,84руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №4	7-10 дней	97,20руб.	89,10руб.	87,48руб.	85,05руб.	79,38руб.	77,76руб.	75,33руб.	68,04руб.

Наличие	Срок	1шт	20шт	50шт	100шт	1000шт	5000шт	10000шт	50000шт
Склад №5	5 дней	187,11руб.	172,53руб.	168,48руб.	164,43руб.	159,57руб.	153,90руб.	145,80руб.	131,22руб.

Характеристики
Дополнительная информация

Характеристики

FQP30N06L, Транзистор, N-канал 60В 32А [TO-220]The FQP30N06L is a QFET® N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.

• Low gate charge
• 100% Avalanche tested
• Low crss (typical 50pF)
• ±20V Gate-source voltage

Дополнительная информация

Корпус	to220ab
Структура	n-канал