11

IRLMS6702TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 2.5А logic [Micro-6

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

15,00 руб.

x 15,00 = 15,00
Артикул: 1126366 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней15,00руб.13,95руб.13,50руб.13,20руб.12,30руб.12,00руб.11,70руб.10,80руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней27,15руб.24,90руб.24,45руб.23,85руб.22,20руб.21,75руб.21,15руб.19,05руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней35,10руб.32,40руб.31,65руб.30,90руб.28,80руб.28,05руб.27,45руб.24,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней18,00руб.16,50руб.16,20руб.15,75руб.14,70руб.14,40руб.13,95руб.12,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней34,65руб.31,95руб.31,20руб.30,45руб.29,55руб.28,50руб.27,00руб.24,30руб.

Характеристики

IRLMS6702TRPBF, Транзистор, P-канал 20В 2.5А logic [Micro-6 The IRLMS6702TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It’s unique thermal design and RDS (ON) reduction enables a current-handling increase of nearly 300%.

• Generation V technology
• Ultra-low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching
• Fully avalanche rating

Дополнительная информация

Корпус

tsop6
Структура

p-канал