52н

IRLL014NPBF, Транзистор, N-канал 55В 2.8А logic [SOT-223]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

23,00 руб.

x 23,00 = 23,00
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней23,00руб.21,39руб.20,70руб.20,24руб.18,86руб.18,40руб.17,94руб.16,56руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней41,63руб.38,18руб.37,49руб.36,57руб.34,04руб.33,35руб.32,43руб.29,21руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней53,82руб.49,68руб.48,53руб.47,38руб.44,16руб.43,01руб.42,09руб.37,72руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней27,60руб.25,30руб.24,84руб.24,15руб.22,54руб.22,08руб.21,39руб.19,32руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней53,13руб.48,99руб.47,84руб.46,69руб.45,31руб.43,70руб.41,40руб.37,26руб.

Характеристики

IRLL014NPBF, Транзистор, N-канал 55В 2.8А logic [SOT-223]The IRLL014NPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Dynamic dv/dt rating
• Fully avalanche rated
• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Surface mount

Дополнительная информация

Корпус

sot223

Структура

n-канал