16

IRFZ44EPBF, Транзистор, N-канал 60В 48А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

37,00 руб.

x 37,00 = 37,00
Артикул: 1126283 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней37,00руб.34,41руб.33,30руб.32,56руб.30,34руб.29,60руб.28,86руб.26,64руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней66,97руб.61,42руб.60,31руб.58,83руб.54,76руб.53,65руб.52,17руб.46,99руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней86,58руб.79,92руб.78,07руб.76,22руб.71,04руб.69,19руб.67,71руб.60,68руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней44,40руб.40,70руб.39,96руб.38,85руб.36,26руб.35,52руб.34,41руб.31,08руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней85,47руб.78,81руб.76,96руб.75,11руб.72,89руб.70,30руб.66,60руб.59,94руб.

Характеристики

IRFZ44EPBF, Транзистор, N-канал 60В 48А [TO-220AB]The IRFZ44EPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал