47

IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]

Поставка электронных компонентов в Петрозаводск

50,00 руб.

x 50,00 = 50,00
Артикул: 1125868 Категории: ,
Сроки поставки выбранного компонента в Петрозаводск уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №110-12 дней50,00руб.46,50руб.45,00руб.44,00руб.41,00руб.40,00руб.39,00руб.36,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №25-7 дней90,50руб.83,00руб.81,50руб.79,50руб.74,00руб.72,50руб.70,50руб.63,50руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №35 дней117,00руб.108,00руб.105,50руб.103,00руб.96,00руб.93,50руб.91,50руб.82,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №47-10 дней60,00руб.55,00руб.54,00руб.52,50руб.49,00руб.48,00руб.46,50руб.42,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт50000шт
Склад №55 дней115,50руб.106,50руб.104,00руб.101,50руб.98,50руб.95,00руб.90,00руб.81,00руб.

Характеристики

IRF3205PBF, Транзистор, N-канал 55В 110А [TO-220AB]The IRF3205PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance. Advanced HEXFET® power MOSFETs from International rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Dynamic dv/dt rating
• Fully avalanche rated
• Fast switching
• ±20V Gate-source voltage

Дополнительная информация

Корпус

to220ab
Структура

n-канал